8-inch SiC mifono peratra graphite ho an'ny SiC Epitaxy

Toetra ara-pitaovana sy ara-batana

Ny peratra graphite mifono SiC an'i Semixlab dia namboarina avy amin'ny graphite isostatic ho fitaovana fototra, arahin'ny fametahana etona simika (CVD) SiC coating. Ity rafitra tsy manam-paharoa ity dia manome fifandanjana amin'ny tanjaka, ny fahamendrehana ary ny fanoherana ny fepetra henjana.

Fampiharana amin'ny SiC Epitaxy Process

Ao amin'ny fizotry ny fitomboan'ny epitaxial SiC, ny peratra graphite voapetaka amin'ny SiC dia miasa ho toy ny singa fifandraisana ara-drafitra sy fiasa eo anelanelan'ny wafer, susceptor ary ampahany grafit hafa ao anatin'ny efitrano fanehoan-kevitra MOCVD na CVD. Ny fampisehoana azy dia misy fiantraikany mivantana amin'ny kalitaon'ny sosona epitaxial, ny fitovian'ny sarimihetsika, ary ny fahamarinan-toeran'ny reactor amin'ny ankapobeny - ireo mari-pamantarana manan-danja rehetra amin'ny famokarana fitaovana herinaratra SiC avo lenta.

1. Fanohanana sy fampifanarahana Wafer

Ny peratra graphite dia vita amin'ny milina mba hiantohana ny fametrahana wafer marina sy ny fametrahana azo antoka mandritra ny fametrahana epitaxial amin'ny hafanana. Ny fahamarinany amin'ny refy eo ambanin'ny enta-mavesatra mafana dia mitazona ny firindran'ny wafer marina ary manakana ny fikorontanan'ny sisiny, miantoka ny fitomboan'ny sosona tsy tapaka manerana ny velaran'ny wafer.

2. Fizarana mafana fanamiana

Mandritra ny epitaxy SiC, ny fitazonana ny gradient mari-pana mitovitovy amin'ny wafer manontolo dia ilaina mba hahazoana ny hatevin'ny sarimihetsika sy ny fifantohana doping. Ny peratra vita amin'ny SiC dia manampy amin'ny fampifandanjana ny enta-mavesatra amin'ny alàlan'ny fanatsarana ny famindrana hafanana eo amin'ny faritry ny susceptor sy ny sisin'ny wafer, ny fampihenana ny toerana mafana ary ny fiantohana ny fananganana epitaxial fanamiana na dia amin'ny hafanana avo mihoatra ny 1600 ° C.

3. Fiarovana ny tontolo iainana

Ny singa grafita tsy voarakotra dia mora voan'ny erosion simika sy ny famoahana poti amin'ny atmosfera epitaxial mihetsika misy gazy toy ny H₂, SiH₄, ary C₃H₈. Ny coating CVD SiC amin'ny peratra dia miasa ho toy ny sakana fiarovana, mitoka-monina ny substrate graphite amin'ny entona manimba, ka manamaivana ny fandotoana ny loto ary manakana ny poti-boankazo mifototra amin'ny karbaona tsy hiditra ao amin'ny faritra mitombo. Vokatr'izany dia nanatsara ny fahadiovan'ny tafo wafer sy ny vokatra avo kokoa ny fitaovana.

4. Ny fampihenana ny vokatry ny sisiny sy ny fanatsarana ny fikorianan'ny entona

Amin'ny rafitra epitaxy SiC 8-inch mandroso, ny fanamiana sisiny dia matetika fanamby lehibe amin'ny dingana. Ny peratra graphite misy SiC dia manampy amin'ny fanamafisana ny fikorianan'ny entona laminar eo akaikin'ny sisin'ny wafer, hisorohana ny faritra mikorontana ary hiantohana ny tontolo manodidina ny sisin-tany voafehy. Ity fitsinjarana entona nohatsaraina ity dia manampy amin'ny fanaraha-maso ny hatevin'ny epitaxial amin'ny sisiny, mampihena ny fako fitaovana ary miantoka ny fametrahana sosona avo lenta na dia amin'ny wafers misy savaivony aza.

5. Fifanarahana amin'ny famolavolana reactor maro

Ny peratra grafita vita amin'ny SiC an'ny Semixlab dia natao hifanaraka amin'ny marika fitaovana epitaxy lehibe toa ny AIXTRON, Veeco, ary LPE. Ny peratra dia azo amboarina amin'ny geometry, ny hatevin'ny coating, ary ny firafitry ny interface mba hifanaraka tsara amin'ny fivorian'ny susceptor manokana amin'ny reactor, ahafahan'ny fampidirana tsy misy tomika sy ny fampisehoana maharitra amin'ny sehatra epitaxial samihafa.

6. Nitarina ny androm-piainany sy ny fizotry ny asa

Amin'ny alàlan'ny fampifangaroana ny herin'ny mekanika avo lenta amin'ny grafit isostatic sy ny fanoherana ny fitafy miavaka amin'ny CVD SiC, ny peratra voarakotra dia mampiseho faharetana miavaka amin'ny hetsika cyclic maharitra. Izy io dia manohitra ny microcracking, ny harafesina simika, ary ny havizanana mafana, miantoka ny fahombiazany mandritra ny tsingerin'ny dingana lava, ka mampihena ny faharetan'ny fikojakojana sy ny fandaniana amin'ny famokarana epitaxy avo lenta.

Semixlab Tombony

Miaraka amin'ny fahaiza-manao roapolo taona mahery amin'ny epitaxy semiconductor sy ny teknolojia coating seramika mandroso, Semixlab dia manome vahaolana feno ho an'ny singa SiC madio indrindra.

Ny tombony fototra:

●Fanamboarana manokana: Ny habe mifanaraka amin'ny habeny, ny hatevin'ny coating, ary ny géometrika araka ny famolavolana reactor manokana (AIXTRON, Veeco, LPE, sns.).

●Sample Support: Ny prototyping haingana sy ny serivisy santionany azo atao amin'ny fanombanana sy ny fanamarinana ny dingana.

●Fakan-kevitra ara-teknika: Ny injeniera efa za-draharaha dia manome toro-hevitra momba ny fampidinana mialoha ny fivarotana sy ny dingana mba hanatsarana ny fahombiazany sy ny faharetana.

●Fanomezan-toky ny kalitao: Ny singa tsirairay dia mandalo fanaraha-maso tsara, fandrefesana ny hatevin'ny coating, ary fitsapana hafanana avo alohan'ny fandefasana.