Susceptor fihodinana voarakotra TaC

Ny substrates mihodina misy TaC an'ny Semixlab dia namboarina manokana mba hamenoana ny filàn'ny dingana epitaxial SiC taranaka manaraka. Ny teknolojian'ny coating TaC anay, miaraka amin'ny endrika mihodina voalanjalanja tsara, dia manome fitoviana ara-hafanana miavaka amin'ny tontolo CVD avo lenta, mampihena ny famokarana poti-javatra, ary miantoka ny fahamarinan'ny dingana maharitra.

Ao anatin'ity famolavolana ity dia misy sosona tantalum carbide matevina sy tsy mihetsika simika izay miaro ny substrate grafita amin'ny harafesina hidrôzenina, ny sublimation amin'ny mari-pana avo, ary ny fihetsika amin'ny entona precursor misy silikônina na karbônina. Ny teboka fandrendrehana avo lenta an'ny TaC sy ny conductivity mafana miavaka dia miantoka ny famindrana hafanana marin-toerana sy mitovy mandritra ny epitaxy 4H-SiC, manohana ny mari-pana fitomboana mihoatra ny 1600-1700°C. Amin'ny alàlan'ny fitazonana saha mafana voafehy mandritra ny fihodinan'ny wafer, ity substrate ity dia miantoka ny fizarana precursor mitovy, ny fikorianan'ny laminar tsara kokoa, ary ny fitoviana miavaka amin'ny hateviny sy ny fifantohana doping amin'ny wafer. Tena ilaina izany ho an'ny rafitra fitaovana herinaratra toy ny sosona drift, sosona epitaxial JBS, na stacks epitaxial matevina avo lenta, izay misy fiantraikany lehibe amin'ny vokatra sy ny fahombiazan'ny herinaratra ny fivilian-dàlana mitovy.

Ny substrate mihodina misy TaC dia nohatsaraina ihany koa ho an'ny fanaraha-maso ny loto, iray amin'ireo lafiny manan-danja indrindra amin'ny epitaxy SiC. Ny velaran'ny TaC tena mafy dia mahatohitra triatra bitika, fikikisana ary fiparitahana na dia aorian'ny tsingerina maharitra aza, ka mampihena be ny famokarana poti-javatra ao anatin'ny efitrano epitaxial. Ny toetrany simika marin-toerana dia mampihena ny fampidirana loto metaly na karbonina, miaro ny fahadiovan'ny sarimihetsika epitaxial ary mampihena ny hakitroky ny lesoka. Ireo tombony ireo dia manitatra be ny elanelam-potoana fikojakojana, mampitombo ny fotoana fiasan'ny efitrano, ary mampitombo ny vokatra amin'ny ankapobeny - indrindra amin'ny tontolo famokarana be dia be izay misy fiantraikany mivantana amin'ny vidin'ny fananana ny fahatokisana sy ny famerimberenana.

Raha jerena amin'ny lafiny injeniera, ny endriky ny substrate an'ny Semixlab dia mampiasa fandanjalanjana ara-jeometrika mazava tsara, hatevin'ny coating nohatsaraina, ary teknika fitsaboana ety ivelany mandroso mba hihazonana ny fahombiazan'ny fihodinana tsy tapaka amin'ny mari-pana tafahoatra. Izany dia mampitombo ny fahombiazan'ny fanafanana induction sady manamafy ny fizarana ny mari-pana wafer amin'ny toe-javatra fitomboana isan-karazany. Amin'ny farany, manolotra vahaolana substrate tonga lafatra izahay ho an'ny famokarana be dia be sy ny R&D mandroso, miantoka ny fifanarahana amin'ny sehatra epitaxial SiC malaza sy ny fahafaha-mitombo amin'ny dingana wafer 6-inch sy 8-inch.

Ny substrates mihodina misy TaC an'ny Semixlab dia miasa ho toy ny interface tsara amin'ny fizotran'ny asa, manatsara ny kalitaon'ny epitaxial, manatsara ny fahombiazan'ny fitaovana, ary manohana ny varavarankely henjana kokoa ilaina amin'ny famokarana fitaovana SiC maoderina. Namboarina ho an'ny androm-piainana lava kokoa, ny fahalotoan'ny poti-javatra ambany, ary ny fampisehoana mafana miavaka, ity vokatra ity dia singa fototra ho an'ny orinasa mpamokatra herinaratra mitady vokatra epitaxial SiC marin-toerana, azo vinavinaina ary kilasy manerantany.