EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Sambo Wafer SiC madio tsara
Amin'ny maha mpanamboatra sinoa sy mpamatsy ny High-Purity SiC Wafer Boat, Semixlab's Silicon Carbide wafer boat dia ampiasaina betsaka amin'ny rohy dingana lehibe toy ny LPCVD, oxidation ary annealing noho ny fahamarinany mafana tsara, ny fanoherana ny harafesina ary ny tanjaky ny mekanika. Raha mitady sambo SiC Wafer ianao izay afaka manamaivana ny fandotoana sombin-javatra, manitatra ny androm-panompoana ary miantoka ny fiarovana ny wafer, ity vokatra ity no safidy tsara indrindra ho anao.
Description
Eo amin'ny sehatry ny famokarana semiconductor, ny fizotry ny mari-pana ambony dia mametraka fanamby goavana ho an'ireo mpitatitra wafer. Rehefa mihoatra ny 1600 ℃ ny mari-pana, dia manomboka mihalefaka sy mihasimba ary mamoaka loto ny mpitatitra quartz nentim-paharazana (wafer ampiasaina amin'ny sambo quartz).
SiC Wafer Boat High-Purity, miaraka amin'ny tombony ara-materialy avy amin'ny karbida silisiôma (SiC), dia mamaha tanteraka ity teboka fanaintainan'ny indostria ity ary lasa fitaovana ilaina amin'ny famokarana semiconductor mandroso, indrindra fa ny famokarana fitaovana herinaratra SiC.
fepetra arahana
Toetra ara-batana fototra sy masontsivana ara-teknika ny vokatra:
| Tondro fambara | Sambo Wafer SiC madio tsara | Mpitatitra quartz nentim-paharazana | Tombontsoa nohatsaraina |
| Ny mari-pana fiasa faran'izay avo | 1800°C (mitohy) / 2000°C (ambony) | 1200 ° C | Nihatsara 50% ny fanoherana ny maripana |
| Fitetezana ara-pahasalamana | 4.9 W/cm·K (mari-pana) | 1.5 W/cm·K | Nitombo 226% ny fahombiazan'ny fanaparitahana hafanana |
| Coefficient amin'ny fanitarana hafanana | 4-5 × 10⁻⁶/K | 0.55 × 10⁻⁶/K | Nihatsara in-7 ny fahamarinan-toerana mafana |
| hamafin'ny | Mohs 9.2 (faharoa amin'ny diamondra) | Mohs 7 | Nihatsara in-30 ny fanoherana ny akanjo |
| Ny adin-tsain'ny Wafer contact point | <5 MPa (anti-slip design) | > 20 MPa | Nihena 80% ny tahan'ny fandalovan'ny wafer |
| Famotsorana potikely | 0 pts/cm² (kilasy 100 fahadiovana) | >50 pts/cm² | Fandotoana manakaiky ny aotra |
Ny fahombiazan'ny mpitatitra wafer silisiôma karbida (SiC Wafer Carrier) dia avy amin'ny fananana siansa ara-pitaovana tokana. Ity ambany ity ny fampitahana amin'ny antsipiriany momba ny masontsivana ara-batana fototra:
Ireo mari-pamantarana ireo dia mandika mivantana amin'ny vokatra tsara kokoa sy mampihena ny fandaniana amin'ny famokarana semiconductor, araka ny aseho amin'ireto manaraka ireto:
Tombontsoa amin'ny fampandehanana mafana: Ny elanelana midadasika an'ny SiC (3.26 eV) dia miantoka fa mitazona rafitra kristaly miorina amin'ny 2000 ° C izy ary misoroka ny fiovan'ny hafanana. Ny conductivity mafana avo lenta (4.9 W/cm·K) dia mamela ny wafer ho mafana kokoa ary manala ny lesoka amin'ny lattice vokatry ny adin-tsaina mafana.
Herin'ny mekanika: Ny hamafin'ny 9.2 Mohs dia manohitra ny fiantraikany ara-batana mandritra ny dingana, ary ny fiainana serivisy dia mihoatra ny 10 heny noho ny mpitatitra quartz nentim-paharazana. Ny famolavolana slot semicircular tsy manam-paharoa dia mifehy ny adin'ny fifandraisana amin'ny wafer eo ambanin'ny 5MPa, amin'ny ankapobeny dia manafoana ny trangan-tsolika avo lenta.
Ny tsy fahampian-tsakafo simika: Ny fandeferana amin'ny entona manimba be toy ny HF sy HCl dia mihoatra ny 10,000 ora, ary ny fandotoana aotra dia tazonina ao amin'ny LPCVD, diffusion, oxidation ary dingana hafa.
Applications
Ny anjara asan'ny High Purity SiC Wafer Boat
Ny SiC Wafer Boat dia ampiasaina betsaka amin'ireto dingana famokarana semiconductor ireto:
Hafanana amin'ny hafanana avo: Ao amin'ny tsipika famokarana ny sic wafer mpanamboatra, ny mari-pana ambony dia dingana manan-danja mba hampavitrika dopants sy ny fanamboarana ny kilema makarakara. Ny fahamarinan-toeran'ny mari-pana ambony amin'ny sambo wafer SiC dia miantoka ny fitoviana sy ny fahombiazan'ny fizotran'ny annealing.
Fitomboan'ny epitaxial: Na epitaxy mifototra amin'ny silisiôma na epitaxy wafer silisiôma karbida, ny fanoherana ny hafanana ambony sy ny fanoherana ny harafesina amin'ny sambo wafer SiC dia mahatonga azy io ho mpitatitra tsara indrindra hiantohana ny fitomboan'ny epitaxial avo lenta.
Distribution: Ao amin'ny lafaoro fanaparitahana hafanana, ny sambo wafer SiC ao amin'ny sambo wafer LPCVD dia afaka mahatohitra fitsaboana hafanana maharitra maharitra mba hiantohana ny fiparitahan'ny atoma doping ary mamorona fananana elektrika marina.
Fametrahana sarimihetsika manify: Indrindra ho an'ny fampiharana lakana wafer Lpcvd, ny fandatsahana potikely faran'izay ambany sy ny conductivity mafana tsara amin'ny sambo wafer SiC dia manampy amin'ny fahazoana sarimihetsika avo lenta sy avo lenta.
Fitaovana mifanentana sy mifanentana amin'ny dingana:
✔ Mifanaraka amin'ny lafaoro LPCVD mahazatra (toy ny TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar, sns.)
✔ Famaritana wafer azo zahana toy ny 100mm/150mm/200mm
✔ Manohana ny fametrahana fitaovana fanodinana mitsivalana sy mitsangana
Ny sambo wafer SiC an'i Semixlab dia safidy tsara indrindra hanatsarana ny fahombiazan'ny fizotranao sy ny vokatra vokatra, ary mpitarika amin'ny vahaolana sambo wafer Semiconductor mandroso.
Our Services
Semixlab Product Shop
Semixlab fivarotana vokatra
