EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Porous graphite
| Toerana niaviany: | Shina | |
| Brand Name: | Semixlab | |
| Model Number: | PG-001 | |
| Certification: | ISO9001 | |
| Fepetra takiana minitra: | Miankina amin'ny haben'ny tsirairay (fanohanana amin'ny fikarohana sy fampivoarana ny baiko andrana kely) | |
| Price: | Quote araka ny fangatahana namboarina (fampihenana be dia be) | |
| Packaging Details: | Fonosana anti-oxidation tsy misy rivotra, boaty hazo tsy misy taitra (mifanaraka amin'ny fenitry ny fitaterana iraisam-pirenena) | |
| Ora nanomezana: | 20-45 andro (miankina amin'ny fahasarotan'ny customization) | |
| Payment Terms: | T/T (50% mialoha, 50% aloa alohan'ny fanaterana) | |
| Supply Fahaiza-: | Ny fahafaha-mamokatra isam-bolana amin'ny sekely 3000, manohana ny famokarana baiko maika | |
Description
Porous graphite no tena ampiasaina amin'ny PVT (fifindran'ny etona ara-batana) silisiôma carbide (SiC) dingana fitomboana kristaly tokana, no fitaovana fototra amin'ny rafitra mafana mafana. Ny vokatra dia vita amin'ny grafit isostatically tsindrin'ny fahadiovana faran'izay tsara, izay mamorona rafitra porous fanamiana sy azo fehezina amin'ny alàlan'ny fametahana CNC machining sy ny teknolojia fanaraha-maso ny mason-koditra, miantoka ny fampandehanana tsara amin'ny toe-javatra faran'izay haingana (2200 ℃). Ny famolavolana tsy manam-paharoa azy dia manatsara ny fitoviana amin'ny sehatra mafana ary manatsara ny fahombiazan'ny famindrana entona, izay antoka fototra ho an'ny fitomboan'ny kristaly SiC avo lenta.
Ny endri-javatra fototra sy ny tombony amin'ny fizotrany:
Fahadiovana tafahoatra sy taham-pahakiviana ambany
Ny dingan'ny fanadiovana hafanana avo lenta (fitsaboana 3000 ℃) dia ampiasaina mba hampihenana ny votoatin'ny loto tsy metaly toy ny oksizenina sy ny azota. Esory ny tsy fahampiana kristaly ateraky ny fahalotoana (toy ny microtubule, dislocations) mba hiantohana ny tsy fitoviana amin'ny herinaratra amin'ny kristaly tokana SiC.
Ny fahamarinan-toerana ambony indrindra amin'ny hafanana sy ny fifehezana ny saha mafana
Ao amin'ny tontolo argon / banga, dia mahatanty 2200 ℃ miasa maharitra mihoatra ny 1000 ora, ambany coefficient ny fanitarana mafana, ary misoroka ny famoretana ara-nofo vokatry ny adin-tsaina mafana.
Ny porosity dia manohana ny famolavolana fizarana gradient, miaraka amin'ny simulation CFD mba hanatsarana ny haben'ny pore (10-200μm), mandrindra tsara ny fizarana mafana, mampihena ny fiovaovan'ny mari-pana (ao anatin'ny ± 3 ℃), ary manatsara ny fitombon'ny fitomboan'ny kristaly.
Vahaolana namboarina
Fampifanarahana geometrika: Tohano ny fanodinana endrika sarotra (toy ny annular crucible, ampinga maro sosona), mifanandrify amin'ny firafitry ny lafaoro mpanjifa.
Fitsaboana amin'ny tarehy: Manome serivisy fanosihosena na fametahana faran'izay tsara mba hanatsarana ny fanoherana ny harafesina sy ny fiainana serivisy.
Fanamarinana ny fahombiazan'ny fampiharana
Ao amin'ny dingan'ny crystallization PVT SiC, amin'ny maha singa eny an-tsaha sy mafana:
Ampitomboy ny tahan'ny fitomboana kristaly amin'ny 15% -20% (raha ampitahaina amin'ny graphite nentim-paharazana);
Nitombo mihoatra ny 90% ny vokatra wafer (kristaly tokana SiC 4 santimetatra);
Ny fe-potoana fikojakojana ny fitaovana dia miitatra hatramin'ny 6 volana (3 volana mahazatra).
Quick Detail:
1. Anarana hafa: PVT graphite crucible, silisiôma carbide fitomboana amin'ny porous graphite.
2. Fampiharana: fomba PVT (fomba fitaterana entona ara-batana) SiC kristaly tokana fitomboana fototra singa mafana.
3. Masontsivana fototra: fahadiovana ≥99.9995%, porosity 15-30%, fanoherana ny mari-pana 2200 ℃ (tontolo entona inert), conductivity mafana 100-150 W / m · K.
fepetra arahana
| Toetra ara-batana mahazatra amin'ny graphite porous | |
| ltem | fikirana |
| Drafitra be | 0.89 g / cm2 |
| Tanjaka manakorontana | 8.27 MPa |
| Fiatrehana hery | 8.27 MPa |
| Faharetana amin'ny sintona | 1.72 MPa |
| Fanoherana manokana | 130Ω -inx10-5 |
| porosity | 50% |
| Haben'ny pore antonony | 70um |
| Thermal Conductivity | 12W/M*K |
Applications
Fivoriamben'ny lafaoro fitomboana PVT: Ao anatin'ny sublimation fitaovana SiC sy ny fitomboan'ny kristaly, dia manome fizarana sehatra mafana.
Singa fiarovana amin'ny saha mafana: ny rafitra porous dia mampihena ny adin-tsaina mafana ary manitatra ny fiainan'ny fitaovana.
Fangaro kristaly voa: hery mekanika avo hanohanana ny kristaly voa, mba hiantohana ny fitomboan'ny kristaly.
Fizarana entona sosona: manatsara ny fahombiazan'ny famindrana entona, manatsara ny kalitao kristaly tokana sy ny tahan'ny fitomboana.
Competitive Advantage
Fahombiazana amin'ny hafanana mahery vaika: tsy misy fanalefahana manalefaka amin'ny 2200 ℃, manohana mihoatra ny 1000 ora amin'ny asa maharitra maharitra.
Famolavolana saha mafana mahazatra: Atambatra amin'ny simulation CFD mba hanatsarana ny gradient pore, hanatsara ny fitovian'ny kristaly sy ny vokatra.
Serivisy famerimberenana haingana: manome fitsapana mifanandrify amin'ny fizotran'ny dingana ary manolotra vahaolana prototype ao anatin'ny 72 ora.
